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日本(g-n)无机CsPb1-xBaxBr3钙钛矿薄膜的KPFM图。

与两种绝缘体组成的TENG相比，女性使用电荷迁移率更高的半导体作为摩擦电材料可以显著降低内阻并且增大输出电流密度。疫状况(b)MAPb(I0.96Br0.04)3能级之间能隙的傅里叶变换得到的谱密度。

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